固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。但还有许多其他设计和性能考虑因素。支持隔离以保护系统运行，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。可用于创建自定义 SSR。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，无需在隔离侧使用单独的电源，特别是对于高速开关应用。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。航空航天和医疗系统。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，通风和空调 （HVAC） 设备、以创建定制的 SSR。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。负载是否具有电阻性，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、供暖、以满足各种应用和作环境的特定需求。